Memória RAM PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19
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Descrição
- Tecnologia: DDR4
- Voltagem:
- 1.2 V
- 1,2 V
- Tipo: Memória (RAM)
- Latência: CL19
- Conexões: DIMM
- Memória RAM: 4 GB RAM
- Velocidade: 2666 MHz
- Tipo de memória: DDR4
- Compatível: PC/Server
- Capacidade: 4 GB
PNY Performance. Componente para: PC/server, Capacidade da memória incorporada: 4 GB, Configuração da memória (módulos x dimensões): 1 x 4 GB, Tipo de memória interna: DDR4, Velocidade do clock de memória: 2666 MHz, Latência CAS: 19
- Capacidade da memória incorporada: 4 GB
- Configuração da memória (módulos x dimensões): 1 x 4 GB
- Tipo de memória interna: DDR4
- Velocidade do clock de memória: 2666 MHz
- Componente para: PC/server
- Latência CAS: 19
- Canais de memória: Single-channel
- Voltagem de memória: 1.2 V
- Tipo de embalagem: Plástico de bolhas
General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
+33556354800
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com